本书包括半导体器件基础、二极管及其应用电路、晶体管和场效应管放大电路的基本原理及频率响应、功率放大电路、多级放大电路、差分放大电路、电流源等模拟集成电路的单元电路、反馈电路、模拟集成运算放大器、电压比较器和波形变换电路等。本书对原版教材进行了改编，精简了内容，突出了重点，补充了必要知识点，内容更加新颖和系统化，反映了器件和应用的发展趋势，强调了系统工程的概念。 Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大学从事电路分析、电子电路基础等相关学科教学的资深教授，在电子电路学科领域出版了多部优秀教材，受到很高的评价。 Robert L. Boylestad和Louis Nashelsky都是在大学从事电路分析、电子电路基础等相关学科教学的资深教授，在电子电路学科领域出版了多部优秀教材，受到很高的评价。 Chapter 1 Semiconductor Diodes1．1 Introduction1．2 Semiconductor Materials： Ge， Si， and GaAs1．3 Covalent Bonding and Intrinsic Materials1．4 Extrinsic Materials： n-Type and p-Type Materials 1．5 Semiconductor Diode1．6 Ideal Versus Practical1．7 Resistance Levels1．8 Diode Equivalent Circuits1．9 Transition and Diffusion Capacitance1．10 Reverse Recovery Time1．11 Diode Specification Sheets 1．12 Semiconductor Diode Notation1．13 Zener Diodes1．14 Light-Emitting Diodes1．15 Summary1．16 Computer AnalysisProblems Chapter 2 Diode Applications2．1 Introduction 2．2 Load-Line Analysis2．3 Equivalent Model Analysis2．4 AND/OR Gates2．5 Sinusoidal Inputs; Half-Wave Rectification2．6 Full-Wave Rectification2．7 Clippers2．8 Clampers2．9 Zener Diodes2．10 SummaryProblemsChapter 3 Bipolar Junction Transistors3．1 Introduction3．2 Transistor Construction3．3 Transistor Operation 3．4 Common-Base Configuration3．5 Transistor Amplifying Action 3．6 Common-Emitter Configuration3．7 Common-Collector Configuration3．8 Limits of Operation3．9 Transistor Specification Sheet3．10 Transistor Casing and Terminal Identification 3．11 SummaryProblemsChapter 4 DC Biasing ― BJTs4．1 Introduction4．2 Operating Point4．3 Fixed-Bias Circuit 4．4 Emitter Bias4．5 Voltage-Divider Bias4．6 DC Bias with Voltage Feedback 4．7 Miscellaneous Bias Configurations4．8 Transistor Switching Networks 4．9 pnp Transistors4．10 Bias Stabilization 4．11 SummaryProblemsChapter 5 BJT AC Analysis5．1 Introduction5．2 Amplification in the AC Domain 5．3 BJT Transistor Modeling5．4 The re Transistor Model5．5 The Hybrid Equivalent Model5．6 Hybrid Model5．7 Variations of Transistor Parameters5．8 Common-Emitter Fixed-Bias Configuration 5．9 Voltage-Divider Bias5．10 CE Emitter-Bias Configuration5．11 Emitter-Follower Configuration5．12 Common-Base Configuration5．13 Collector Feedback Configuration5．14 Collector DC Feedback Configuration5．15 Determining the Current Gain5．16 Effect of RL and Rs5．17 Two-Port Systems Approach 5．18 Summary Table5．19 Cascaded Systems5．20 Darlington Connection5．21 Feedback Pair5．22 Current Mirror Circuits5．23 Current Source Circuits5．24 Approximate Hybrid Equivalent Circuit5．25 SummaryProblemsChapter 6 Field-Effect Transistors 6．1 Introduction6．2 Construction and Characteristics of JFETs6．3 Transfer Characteristics 6．4 Specification Sheets (JFETs)6．5 Important Relationships6．6 Depletion-Type MOSFET6．7 Enhancement-Type MOSFET6．8 CMOS6．9 Summary Table6．10 SummaryProblems Chapter 7 FET Biasing7．1 Introduction 7．2 Fixed-Bias Configuration 7．3 Self-Bias Configuration7．4 Voltage-Divider Biasing 7．5