本书比较全面深入地介绍了集成电路分析与设计的基础知识以及一些新技术的发展。其中，第1~4章介绍集成电路的发展、基本制造工艺、常用器件的结构及其寄生效应、版图设计基础知识、器件模型及SPICE模拟程序；第5~7章介绍双极型和CMOS型两大类数字集成电路和模拟集成电路基本单元分析与设计方法及其版图设计特点；第8~10章介绍数字集成电路自动化设计技术、测试技术、SoC/IP设计与验证技术及其发展趋势。本书可以作为高等院校电子信息类本科生教材，也可作为相关领域研究生及工程师的参考用书。 　　叶以正，哈尔滨工业大学教授、博士生导师，长期从事微电子科学与技术方向的教学与科研工作。1998年组建了“哈工大微电子学与固体电子学”学科博士点，指导了一批集成电路方向的博士和硕士研究生，讲授过多门专业课程，发表学术论文150余篇。在“集成电路设计和电子设计自动化”（EDA）领域取得多项科研成果，所主持的科研项目曾获国家科技进步奖和省、部级科技进步奖多项。先后获省“优秀专家”、***级和部级“中青年有突出贡献专家”、全国“三八”红旗手等称号。　　来逢昌，哈尔滨工业大学副教授，长期从事集成电路设计方面的教学和科研工作。主讲“集成电路设计”课程，开设了集成电路生产社戏和集成电路课程设计的实践教学环节。在科研和开发工作中主持完成了多款集成电路芯片的设计，科研成果获省部级科学进步奖多项。 第1章绪论1.1集成电路的诞生和发展1.2集成电路分类1.3集成电路产业链1.4集成电路设计与EDA技术1.4.1集成电路设计1.4.2集成电路设计自动化技术的发展第2章集成电路工程基础2.1平面工艺基础2.1.1薄膜的制备2.1.2光刻工艺和技术2.1.3掺杂技术2.2集成电路制造基本工艺流程2.2.1双极型集成电路制造工艺流程2.2.2CMOS集成电路制造工艺流程2.2.3BiCMOS集成电路制造工艺简介2.3集成电路中的元件2.3.1NPN晶体管及其寄生效应2.3.2PNP晶体管及其寄生效应2.3.3MOS晶体管及其寄生效应2.3.4小尺寸MOS器件凸显的问题与按比例缩小理论2.3.5集成电路中的二极管2.3.6集成电路中的电阻器2.3.7集成电路中的电容器2.3.8集成电路中的电感器2.4集成电路版图设计基础2.4.1版图设计规则2.4.2版图布局2.4.3版图布线2.4.4版图验证与数据提交2.4.5版图基本优化设计技术第3章集成电路器件模型3.1二极管模型3.1.1直流模型3.1.2大信号模型3.1.3小信号模型3.1.4PN结二极管温度效应3.2双极型晶体管模型3.2.1EM模型3.2.2GP模型3.3MOS场效应晶体管模型3.3.1MOSFET电流方程模型3.3.2MOSFET大信号模型3.3.3MOSFET小信号模型3.3.4MOSFET二阶及高阶效应模型3.4噪声模型3.4.1噪声源类型3.4.2集成电路器件噪声模型第4章SPICE模拟程序4.1SPICE简介4.2SPICE电路描述语句4.2.1电路输入语句和格式4.2.2SPICE的输出语句和输出变量4.3SPICE电路分析功能介绍4.3.1直流分析4.3.2交流小信号分析4.3.3瞬态分析4.3.4傅里叶分析4.3.5通用参数扫描分析4.3.6蒙特卡罗分析4.3.7最坏情况分析4.3.8温度分析4.3.9噪声分析4.3.10其他常用的控制命令第5章双极型数字集成电路5.1简易TTL与非门5.1.1工作原理5.1.2电压传输特性与抗干扰能力5.1.3负载能力5.1.4瞬态特性5.1.5电路功耗5.1.6多发射极输入晶体管设计5.2TTL与非门的改进形式5.2.1三管单元TTL与非门5.2.2四管单元TTL与非门5.2.3五管单元TTL与非门5.2.4六管单元TTL与非门5.2.5肖特基晶体管和STTL与非门5.2.6LSTTL和ALSTTL与非门5.3TTL与非门的逻辑扩展5.3.1TTL基本门电路5.3.2TTL OC门电路5.3.3TTL三态门电路5.3.4TTL施密特逻辑门电路5.3.5TTL触发器电路5.4TTL中大规模集成电路5.4.1中大规模集成电路的结构特点5.4.2TTL简化逻辑门5.4.3单管逻辑门电路5.4.4内部简化触发器5.5TTL集成电路版图解析5.5.1TTL与非门版图解析5.5.2LSTTL或门版图解析5.6ECL集成电路5.6.1ECL基本门的工作原理5.6.2ECL电路的逻辑扩展5.6.3ECL电路版图设计特点5.7I2L集成电路5.7.1I2L基本单元的工作原理5.7.2I2L电路的逻辑组合5.7.3I2L电路版图设计特点第6章CMOS数字集成电路设计6.1CMOS反相器6.1.1工作原理6.1.2直流传输特性与噪声容限6.1.3瞬态特性6.1.4功耗特性6.2传输门6.2.1单沟MOS传输门6.2.2CMOS传输门6.3CMOS基本逻辑电路6.3.1标准CMOS静态逻辑门6.3.2伪NMOS逻辑与差分级联电压开关逻辑6.3.3CMOS三态门6.3.4传输门逻辑和差动传输管逻辑6.3.5CMOS动态逻辑6.4CMOS触发器6.4.1RS触发器6.4.2D触发器6.4.3CMOS施密特触发器6.5加法器电路6.5.1全加器和半加器6.5.2逐位进位加法器6.5.3进位选择加法器6.5.4超前进位加法器6.6MOS存储器6.6.1存储器概述6.6.2MASK ROM6.6.3可擦写ROM6.6.4随机存取存储器6.6.5按内容寻址存储器6.7CMOS集成电路版图设计特点6.7.1抗闩锁设计6.7.2抗静电设计6.8集成电路实现方法6.8.1全定制设计方法6.8.2门阵列设计方法6.8.3标准单元设计方法6.8.4积木块设计方法6.8.5可编程逻辑器件方法第7章模拟集成电路设计7.1概述7.2电流镜7.2.1基本MOS电流镜7.2.2共源共栅电流镜7.2.3双极型电流镜7.3基准源7.3.1电压基准源7.3.2电流基准源7.4CMOS单级放大器7.4.1共源极放大器7.4.2共漏极放大器7.4.3共栅极放大器7.4.4共源共栅极放大器7.4.5四种典型结构的特点归纳7.5双极型单级放大器7.5.1共射极放大器7.5.2共集极放大器7.5.3共基极放大器7.6差动放大器7.6.1差动工作方式7.6.2基本差动对7.6.3共模响应7.7放大器的频率特性7.7.1密勒效应7.7.2共源极的频率特性7.7.3共漏极的频率特性7.7.4共栅极的频率特性7.7.5共源共栅极的频率特性7.7.6差动放大器的频率特性7.8噪声7.8.1噪声有关特性7.8.2电路中的噪声计算7.9运算放大器及频率补偿7.9.1性能参数7.9.2一级运放7.9.3两级运放7.9.4反馈及频率补偿7.10比较器7.10.1比较器的特性7.10.2比较器的类型7.10.3高速比较器的设计7.11开关电容电路7.11.1基本开关电容7.11.2基本单元7.11.3开关电容滤波器7.12数据转换电路7.12.1数模转换器7.12.2模